微波功率[W]：3000频率[MHz]：2450过程气体：O2,N2,H2,F2,Ar,NH3,CF4和其他氟机气体工艺流程：蚀刻和沉积输出连接器类型：ISO-K63等离子体室材料：陶瓷电源标称电压[V]：230/208输出连续波[W]：3000外部尺寸[mm]：310,20*346,50*488,30（宽*高*深）重量[kg]：29

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低压微波等离子体源适用于清洗、蚀刻、灰化、沉积、灭菌、预处理可扩张的紧凑式设计集成气体喷淋集成微波发生器系统高等离子体密度高效，低伤害

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用于快速均匀硅蚀刻利用定向的氟自由基束中短寿命且高活跃度的F-自由基腐蚀率：200mm晶圆腐蚀率为3μm/min,300mm晶圆腐蚀率为2.5μm/min腐蚀率受胶带材质限制，无胶带情况下可达5μm/minTTV(总厚度变化)：300mm晶圆，硅的厚度从10μm减少至1μm通过同步旋转和氟的方位角位移来调节氟自由基束的均匀性可选脉冲等离子模式和直流等离子模式采用基于CF4的化学蚀刻用于含铜等金属的硅刻蚀具有可调真空区域的真空吸盘可处理100/150/200/300mm尺寸的晶圆真空吸盘可控制温度刻蚀超薄晶圆可以使用锯架

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