用于单晶硅锭、硅砖和硅晶圆片的生产和质量监控。
用于HJT、HIT、TOPcon、双面PERC、PERC+太阳能电池、钙钛矿等中的硅材料。

特征

直拉硅单晶硅锭中的滑移线

寿命范围
20 ns至100 ms（样品电阻率 > 0.3 Ohm cm）
SEMI标准
PV9-1110
测试速度
线扫描 < 30s
完整的面扫秒 < 5min
同时测量
寿命μPCD/MDP（QSS）和电阻率
直拉硅单晶硅锭中的滑移线
自动几何形状识别

含有大量缺陷的准单晶硅锭的寿命测量

G12、M10晶砖和晶圆片
应用

• 寿命 &电阻率面扫描

• 晶体生长监控（即滑移线）

• 污染监测

• 氧条纹/OSF环

• p型掺杂硅的铁面扫描图

• 光束感应电流（LBIC）

• 发射极层的方阻

• 更多…

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  导入和导出功能
  带有操作员的用户结构
  所有执行的测量概览
  样品参数输出
  单点测量（例如：注入浓度相关的测量）
  面扫描
  测试配方
  分析功能包
  线扫描和单点瞬态视图
  配置选项
  光斑尺寸变化
  电阻率测量（晶砖和晶圆片） 多晶硅晶圆线扫描
  背景/偏置光
  反射测量（MDP）
  LBIC
  p型掺杂硅中的铁图谱

• p/n检测
  条码读取器 HJT晶圆的寿命测量
  自动几何识别
  宽的激光器波长范围
  

多晶硅晶圆线扫描HJT晶圆的寿命测量

技术规格

材料	单晶硅
晶锭尺寸	125×125至210×210mm2， 晶砖长850mm或更长
晶圆尺寸	直径可达300 mm
电阻率范围	0.5 – 5 ohm cm。根据要求提供其他范围
导电类别	p/n
可测量的参数		寿命-μPCD/MDP（QSS）、光电导率、电阻率等
默认激光器	IR激光二极管（980 nm，最大500 mW）和IR激光二极管（905 nm，最大9000 mW）。 可根据要求提供其他波长
电脑	Windows 11或最新版本、.NET Framework更新、2个以太网端口
电力要求	100 – 250 V AC, 6 A
尺寸 (宽×高×长)	2560 × 1910 × 1440 mm
重量	约200kg
认证	根据ISO 9001准则制造，符合CE要求

应用

铁浓度测定
铁浓度的精确测定非常重要，因为铁是硅中最丰富且也是最有害的缺陷之一。因此，有必要尽可能准确、快速地测量铁浓度，并具有非常高的分辨率，最好是在线测量。
缺陷浓度测定
许多寿命测量方法，如QSSPC、μPCD或CDI，以及MDP在极低的注入浓度下都存在异常高的测量寿命。这种效应是由于样品中的捕获中心造成的。这些捕获中心对于了解材料中载流子的行为非常重要，并且也会对太阳能电池产生影响。因此，需要以高分辨率来测量缺陷密度和这些缺陷中心的活化能。
掺杂样品的光电导测量
B和P元素的注入在微电子工业中有许多应用，但到目前为止，还没有方法可以在不接触样品，并由于必要的退火步骤而改变其特性的情况下检查这些注入的均匀性。迄今为止的困难是注入区域的深度通常只有几微米，而且注入剂量非常低。MDP能够以高分辨率和不同注入剂量之间的良好区分来表征这些注入样品。
与注入浓度相关的测量
少数载流子寿命很大程度上取决于注入浓度（过剩载流子浓度）。从寿命曲线的形状和高度可以推断出有关主要重组中心和捕获中心的信息。