- 器件类型:二极管
- 掺杂类型:p型(硼)
- 仪器种类:实验室
- 测定原理:其它
- 测定范围:0.01~5mg/L
- 测定准确度:±1%
- 检出限 :≤0.005mg/L
- 测定时间:30样品/小时
- 批处理量:不限
G160QQ 系列电容式压力传感器,温度控制在 160°C,适用于半导体、光伏设备工艺过程的真空测量,由于采用石英薄膜为核心敏感元件,使其在具有腐蚀性气体的环境中依然呈现良好的稳定性和重复性,传感器配备了高精度信号处理电路,先进的信号调理技术能够保证产品的高精度和稳定的工作温度。通过使用金属外壳、内部信号屏蔽以及在所有输入和输出上使用滤波网络,增强了产品在嘈杂电气环境的抗扰度。此外,内部还设计了污染物排除系统(CES)和沉积挡板,可将气体中的颗粒物阻挡在传感器外。G160QQ 系列电容式压力传感器,温度控制在 160°C,适用于半导体、光伏设备工艺过程的真空测量,由于采用石英薄膜为核心敏感元件,使其在具有腐蚀性气体的环境中依然呈现良好的稳定性和重复性,传感器配备了高精度信号处理电路,先进的信号调理技术能够保证产品的高精度和稳定的工作温度。通过使用金属外壳、内部信号屏蔽以及在所有输入和输出上使用滤波网络,增强了产品在嘈杂电气环境的抗扰度。此外,内部还设计了污染物排除系统(CES)和沉积挡板,可将气体中的颗粒物阻挡在传感器外。G160QQ 系列电容式压力传感器,温度控制在 160°C,适用于半导体、光伏设备工艺过程的真空测量,由于采用石英薄膜为核心敏感元件,使其在具有腐蚀性气体的环境中依然呈现良好的稳定性和重复性,传感器配备了高精度信号处理电路,先进的信号调理技术能够保证产品的高精度和稳定的工作温度。通过使用金属外壳、内部信号屏蔽以及在所有输入和输出上使用滤波网络,增强了产品在嘈杂电气环境的抗扰度。此外,内部还设计了污染物排除系统(CES)和沉积挡板,可将气体中的颗粒物阻挡在传感器外。
量 程
OP1 0.1Torr
100 1Torr
101 10Torr
201 20Torr
102 100Torr
103 1000Torr
性能参数(读值精度/分辨率)
L 0.5% of R.D./0.03% of FS.
N1 1% of R.D./0.03% of F.S.
温度影响
温度系数 零 点 0.02% of F.S./°C
工作温度 10°C~+50°C
存储温度 -20℃~+65℃
物理参数
壳 体 铝合金
电气接口 D型9针/15针
机械接口 见订购信息
内部容积 4.4cc
暴漏于真空的材料 石英,不锈钢
安装方向 垂直or 水平/按需
**压力 300kPa
重 量 1082 ± 5g(不含接头)
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