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核心参数
- 器件类型：二极管
- 掺杂类型：p型（硼）
- 仪器种类：实验室
- 测定原理：其它
- 测定范围：0.01~5mg/L
- 测定准确度：±1%
- 检出限 ：≤0.005mg/L
- 测定时间：30样品/小时
- 批处理量：不限
产品介绍
用于去除SU-8这样的厚光组层
还可以用于各向同性材料蚀刻，例如Si、SiO2、SiOxNy、W、Mo等
不受离子腐蚀的纯化学腐蚀
集成RPS源（遥控/自由基等离子源）
等离子区域水冷
基板超低热负荷
腐蚀速率高（很大范围内不低于200μm/h）
基板尺寸可达460mm x 460mm
不会腐蚀金属，例如：Ni、Ni/Fe，Au；Cu等
仅会对Si或硅的混合物例如SiO2、Si3N4等造成微量伤害
高环境符合性
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北京杰能达机电设备有限公司
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