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核心参数
- 器件类型：二极管
- 掺杂类型：p型（硼）
- 仪器种类：实验室
- 测定原理：其它
- 测定范围：0.01~5mg/L
- 测定准确度：±1%
- 检出限 ：≤0.005mg/L
- 测定时间：30样品/小时
- 批处理量：不限
产品介绍
SM200_d 技术规格
| 项目 | 参数 | |||
|---|---|---|---|---|
| 测量对象 | 2英寸-8英寸抛光/图形晶圆 | |||
| 采样间隔 | 均匀全口径采样，最小采样间隔0.1mm | |||
| 测量时间 | 单次测量时间 <30s （6英寸晶圆全口径） | |||
| 三维翘曲 | 翘曲测量范围 | 0.5μm-5000μm* | ||
| 重复性 | 0.2μm或1% | 精度 | 0.5μm或1.5% | |
| 薄膜应力 | 应力测量范围 | 1 MPa - 10000 MPa | ||
| 曲率测量范围 | 0.5m-10000m | |||
| 曲率半径重复精度 | <1% 1σ (@曲率半径25 m) | |||
| 薄膜应力重复精度 | 1.5MPa或1% | |||
| 工作软件 | Stress Mapper 软件：采图、测量控制及计算分析 | |||
| 软件功能 | 三维翘曲显示、晶圆翘曲参数统计（BOW，WARP等）、薄膜应力及分布、时变稳定性分析、多种拟合算法、空间滤波算法等 | |||
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苏州瑞霏光电科技有限公司
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